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经济日报:第三代半导体产业濒临挑战
发布日期:2022-08-31 08:34    点击次数:166

经济日报:第三代半导体产业濒临挑战

  源泉:经济日报

  现时,我国第三代半导体工夫和产业发展主要濒临三大挑战:一是国际政事和经济环境急巨变化,工夫紧闭危急加重;二是产业“卡脖子”问题亟待惩处;三是国际上已参加产业化快速发展阶段,我国中枢材料芯片产业化智商亟待打破。

  第三代半导体也称宽禁带半导体,包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等,有着超越的光电特质。第三代半导体是全球工夫竞争的要津范畴之一。美日欧等弘扬国度和地区都运行了有关探求,加强对第三代半导体工夫商讨和产业布局,我国也高度醉心第三代半导体工夫和产业研发。

  第三代半导体主要愚弄的三大范畴分辩是光电子器件,如半导体照明、激显豁露等;射频电子器件,如迁徙通讯基站、卫星通讯等;功率电子器件,如新动力汽车、智能电网、高速轨道交通等。我国“新基建”七大产业标的,如5G基站、新动力汽车充电桩、轨道交通等,都离不开第三代半导体。

  第三代半导体产业链主要包括衬底、外延、假想、芯片、封测、愚弄等治安。其中,衬底、外延、芯片三个治安工夫含量愈加密集,是投资和创新的要点。

  以SiC衬底为例,现在已有10多所高校、科研院所和几十家企业活跃在国内SiC单晶衬底范畴,先后攻克了单晶尺寸、电阻率、晶型、单晶炉等一系列中枢工夫,4英寸导电型和半绝缘SiC衬底已大限制量产和愚弄,6英寸导电型衬底已大限制产业化。但现在在劣势限度、衬底尺寸、面型限度等方面的研发和产业化水平,精品推荐与海外仍有差距。

  进程20多年的高速发展,我国第三代半导体主要研发机构已具备全创新链研发智商,国内第三代半导体主要企业已基本酿周密产业链,产业限制达到寰宇第一,但高端家具稀疏是电子器件范畴与海外差距还较大,部分高端家具依然空缺。

  现时,围绕第三代半导体材料与器件,将要点进行7个方面的工夫攻关,包括SiC基电力电子材料与器件、GaN基高效功率电子材料与器件、宽禁带半导体射频电子材料与器件、宽禁带半导体光电子材料与器件、宽禁带半导体深紫外光电材料与器件、第三代半导体新功能材料和器件、宽禁带半导体衬底材料与配套材料。

  我国“十四五”时辰发展第三代半导体的总体筹算是从完了“有无”到惩处“能用”和“卡脖子”问题,完了第三代半导体全产业链智商和水平晋升。具体来说,要打破第三代半导体功率电子材料及器件产业化工夫,鼓舞新一代电力电子工夫改革,完了在高速列车、新动力汽车、工业电机等范畴的限制愚弄;开展万伏千安级SiC功率器件工夫愚弄示范,引颈国际特高压输变电和清洁动力并网工夫发展;惩处迁徙通讯行业GaN基射频芯片基本依赖入口的“卡脖子”问题,打破Micro-LED、深紫外光源等光电芯片产业化工夫,促进在健康医疗、全球安全、新式表露等行业酿成新兴产业。

  (本报记者 黄 鑫整理)

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